| 辛基三甲氧基硅烷改性SiO_2疏水减反膜的制备 |
| 刘建苹;郑燕;刘海旭;于威;丁文革;赖伟东; |
| 关键词：纳米硅/氮化硅;光致发光;温度依赖特性 |
| 主要内容：采用对靶磁控溅射法在单晶硅衬底上沉积镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜,然后在形成气体FG(10%H2,90%N2)气氛中进行450℃常规热退火50min。通过荧光光谱仪测得的稳态/瞬态光致发光(PL)谱研究了镶嵌有纳米硅的氮化硅(SiNx)薄膜样品光致发光特性。结果表明,样品的发光过程可以归因于纳? |
| 《光谱学与光谱分析》 2016(3).653-656 |
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