| 以介孔TiO_2膜为过渡层在玻璃基底上制备Cu_3(BTC)_2连续膜 |
| 苏江滨;张建华;刘阳;蒋美萍;周磊; |
| 关键词：copper;oxidation;high mobility semiconductor;physi |
| 主要内容：本文研究了依赖于参数物理溅射铜的氧化以及相关金属电阻率铜基半导体薄膜的制备.研究发现,在物理溅射过程中,通过简单地调节沉积参数可以得到各种各样的铜基(氧化)薄膜,如纯Cu、Cu2O、Cu O薄膜和Cu/Cu2O、Cu2O/Cu O复合薄膜.文中揭示了物理溅射铜氧化的主要氧来源和依赖于参数 |
| 《Science China Materials》 2016(2).144-150 |
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