| 聚酰亚胺LB膜MIS结构C－V特性 |
| 林海安，吴冲若 |
| 关键词：LB聚酰亚胺膜;MIS隧道结;双电容峰;少子注入;类金属－半导体结 |
| 主要内容：本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ一Ｖ特性研究结果．６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０１１ｃｍ－２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５—－１．５Ｖ间具有反型层 |
| 《材料研究学报》 1994(1).88-92 |
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