GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关
 
康学军 林世鸣

关键词:半导体激光器 集成 光子开关
 
主要内容:报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AlAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层,从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSE工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外,还能实现光放大功能,并可用于自由空间光互连。
 
《高技术通讯》  1997,7(7).-36-38
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