| 高倍增超快高压GaAs光电导开关触发瞬态特性分析 |
| 施卫[1] 梁振宪[2] |
| 关键词：光电导开关 砷化镓 瞬态特性 |
| 主要内容：首次提出“发光畴”模型对强电场下ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的物理机制进行解释。其要点是：光注入载流子引起开关电场畸变，开关偏置在触发电场阈值下因负阻效应产生高场畴，畴内发生碰撞电离引起载流子的雪崩倍增，相伴而生的辐射复合发射光子替代了已消失的触发光脉冲，畴的运动与发光使载流子以１０＾８ｃｍ／ｓ的速度穿越电极间隙，畴生存条件决定Ｌｏｃｋ－ｏｎ电场，当眍电路的控制使开关电场不能维持畴的生存时，开 |
| 《电子学报》 2000,28(2).-20-23 |
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