Si1—xGex合金的红外透射光谱
 
石晓红 刘普霖

关键词:硅锗合金 红外透射光谱 共振模
 
主要内容:本文报道了4.2 ̄300K温度范围的富含Si的Si1-xGex合金的晶格振动红外透射光谱。实验首次观察到Ge杂质诱发的一个新的共振模吸收。结果还表明,直接法生长的Si1-xGex合金存在严重的氧沾污,且氧的振动峰随温度的降低而高频方向移动。
 
《光子学报》  1996,25(4).-315-317
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