应变(Ge)5/(Si)5超晶格的光学增益
 
董文甫 王启明

关键词:超晶格 光增益 锗5/硅5 应变
 
主要内容:本文采用具有驰豫展宽的半导体激光器密度矩阵理论计算了(Ge)5/(Si)5超晶格的线性光增益和导质结激光器的阈值电流密度,从理论上定量地比较了(Ge)5/(Si)5超晶格GaAs体材料的线性光增益和阈值电流密度。
 
《发光学报》  1995,16(4).-293-297
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