| 垂直腔面发射激光器的原理与设计 |
| 邓云龙[1] 范广涵[2] 等 |
| 关键词：半导体激光器 面发射激光器 InGaAs 氧化物 垂直腔面发射激光器 工作原理 设计 |
| 主要内容：阐述了垂直腔面发射激光器（VCSEL）的工作原理及器件的设计方案，并设计出激射波长为980nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料，氧化物限制电流，衬底面出光的基横模低阈值的器件结构。 |
| 《华南师范大学学报：自然科学版》 2001(3).-33-39 |
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