| 高性能低阈值高温无致冷1．3μm AlGaInAs量子阱激光器 |
| 郑鹏[1] 王任凡[2] 等 |
| 关键词：半导体激光器 AlGaInAs 量子阱激光器 高温无致冷 |
| 主要内容：讨论了影响激光器高温特性的主要因素，提出了在1．3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器中采用倒台脊波导（RM－RWG）结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性，研制出了RM－RWG结构的1．3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器，其阈值是流为6mA，特征温度达到95K（25℃－85℃），这些结果为目前文献报道的最好水平。 |
| 《光通信研究》 2001(4).-48-51 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
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