| 1.3μmInAsP调制掺杂的MQW激光器 |
| Shimi.,H 刘大洲 |
| 关键词：通信系统 数据通信 掺杂 外延生长 n型 p型 量子阱激光器 应变 |
| 主要内容：以进一步改善长波长应变多量了阱（MQW）激光器为目的，利用气源分子束外延（MBE）研究了n型和p型调制掺杂两种情况对多量子阱激光器性能的影响，在n型调制掺杂的MQW（MD－MQW）激光器的1200μm长器件上，获得了阈值电源密度低至250A/cm^2，在1．3μmInAsPn型MD－MQW激光器件中，获得了室温时的阈值电流为0.9mA,这是迄今为止对于n型调制掺杂的长波长激光器报导最低的数据。并且是由各种MBE在长波长波段生长的激光器最低的数值，在n型MD－MQW激光器中阈值电流和载流子寿命的降低，可使运转滞后时间减小30％左右，以n型调制掺杂的1.3μmInAsP应变MQW激光器具有很低的功率消耗和很小的运转滞后时间，这对于应用在高密度并行光学互连系统激光列阵上，是很有吸引力的，另一方面，与未掺杂MQW激光器比较，对于p型MD－MQW激光器可以确认，微分增益可增加1．34倍，且与末掺杂MQW激光器比较，运转滞后时间减小20％，这些结果表明，p型调制掺杂很适合于高速激光器。 |
| 《光学精密机械》 2001(2).-14-22 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号