| 大日本印刷成功开发10nm 线宽纳米压印光刻掩膜版 |
| 刘少芳 编译 发布日期：2025年12月9日 |
| 新材料 |
| 2025年12月9日，大日本印刷株式会社（DNP）宣布成功开发出电路线宽为10nm的纳米压印光刻（NIL）掩膜版，该技术可用于制造等同于1.4nm 级别的逻辑半导体，满足智能手机、数据中心和NAND 闪存等设备对先进逻辑半导体微型化的迫切需求。此次最新开发的NIL 掩膜版具有10nm 线型图案，可替代部分EUV 光刻工艺，促进没有EUV 光刻生产线的客户制造先进逻辑半导体。DNP 成功利用自对准双图案化（SADP）技术进一步缩小NIL 掩膜版尺寸，该技术通过薄膜沉积和蚀刻电子束掩膜写入器形成的图案，使图案密度倍增。该技术还降低了尖端半导体制造中曝光工艺的功耗。借助使用NIL 的超精细半导体节能处理技术，现在可将功耗降低至当前可用曝光工艺（如氟化氩（ArF）浸入式和EUV）的十分之一左右。据悉，大日本印刷已开始与多家半导体制造商进行NIL 模板的评估工作，计划于2027年投入大规模生产。 |
| 《全球创新型企业动态监测快报》2025年06期 |
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