| 日本NTT 成功开发全球首款用于后5G 通信的AlN 基高频晶体管 |
| 黄转青 编译 发布日期：2024年12月9日 |
| 电子信息 |
| 日本电报电话公司（NTT）公司宣布通过设计一种低电阻结构，在全球范围内首次实现了基于AlN 晶体管的无线通信高频信号放大。该公司研究制造的AlN 基高频晶体管能够在毫米波频段实现信号放大。随着输出功率向更高水平进一步发展，后5G 时代的无线通信服务有望实现覆盖范围扩大、通信速率提升等方面的优化。NTT 在全球范围内率先成功研发出将氮化铝（AlN）作为半导体材料的相关技术。凭借其卓越的半导体性能，AlN 有望应用于电力转换领域所用的功率器件。该研究首次展示了AlN 基晶体管在无线通信场景下的高频工作特性，印证了AlN 具备拓展其应用范围的潜力。 |
| 《全球创新型企业动态监测快报》2025年06期 |
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