SK 海力士推出HBM4 封装新方案优化堆叠性能与稳定性
 
粤科图信息专班  编译  发布日期:2026-03-04

集成电路
 
  3 月4 日,SK 海力士推进HBM4 封装技术革新,通过增加DRAM 裸片厚度、缩小堆叠层间距,提升产品性能与稳定性。该方案打破传统薄化路线,解决堆叠性能损耗问题,适配现有及下一代封装平台。HBM4 将实现单引脚信号速率16Gbps 以上,带宽突破1.2TB/s,堆叠层数达16 层。SK 海力士目前占全球HBM 市场超50%份额,但三星、美光加速追赶,HBM4 市场竞争白热化。该技术若实现量产,将巩固其技术优势并重塑行业格局。
 
《全球创新型企业动态监测快报》2026年01期
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