| 英特尔推出全球最薄氮化镓芯片 |
| 粤科图信息专班 编译 发布日期：2026-04-14 |
| 集成电路 |
| 近日，英特尔晶圆代工服务宣布推出全球最薄的氮化镓（GaN）芯片，其硅衬底厚度缩减至19 微米，约为人类头发直径的五分之一。该芯片采用英特尔专有的隐形切割和减薄工艺，在300 毫米硅基氮化镓晶圆上制造，实现了结构完整性与性能稳定性的平衡。英特尔首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成，无需分立辅助芯片，简化系统架构并降低能量损失。测试显示，该芯片可承受高达78V 的电压，射频截止频率超过300GHz，满足高频通信需求。集成数字逻辑库反相器开关速度达33 皮秒，性能一致性高，具备量产潜力。该技术已通过四项行业标准可靠性测试，适用于高温高压环境，符合商业部署要求。随着硅基技术接近物理极限，氮化镓凭借高功率密度、快开关速度和低能耗优势，成为关键替代材料。英特尔的300 毫米硅基氮化镓晶圆技术与现有制造基础设施兼容，有助于降低生产成本并加速大规模生产。 |
| 《全球创新型企业动态监测快报》2026年02期 |
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