| 一种扩增干细胞样记忆性T细胞的培养方法 |
| CN201911326818.1 2019-12-20 发明申请 |
| 2021-6-22 |
| 本发明涉及一种扩增干细胞样记忆性T细胞的培养方法，包括以下步骤：第一步为静置培养阶段，将PBMC中的T细胞使用抗体激活后在六孔板内静置培养3天；第二步为低转速的振荡培养阶段，将第一步培养的T细胞转移接种到125ml摇瓶中，在低速振荡的条件下培养3天；第三步为高转速的振荡培养阶段，将第二步培养的T细胞转移接种到500ml摇瓶中，在高速振荡的条件下培养3天。本发明提供了一种阶段性的三步式培养方法，可实现选择性的扩增TSCM亚群，使扩增终点的T细胞群体中富集TSCM，比例>80％，且操作简单，规模可扩大，适合用于大规模生产TSCM进行临床转化，具有很高的临床应用价值。 |
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