| 复合陶瓷基板、覆铜陶瓷基板及制备方法和应用 |
| CN202311093069.9 2023-8-29 发明授权 |
| 2023-11-24 |
| 本发明提供了一种复合陶瓷基板、覆铜陶瓷基板及制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的复合陶瓷基板包括氮化铝基体以及分布在所述氮化铝基体中的氮化硅网状支架；所述氮化硅网状支架由多个氮化硅片形成，单个所述氮化硅片的厚度为0.2~1mm。本发明提供的复合陶瓷基板兼具氮化铝的高导热性和氮化硅的高抗弯强度，在较薄厚度条件下即可满足使用要求，且整体成本较低。 |
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