| 低能量离子束清洁之高解析度扫瞄式电子显微镜试片分析方法 |
| TW097136601 2008-9-24 发明申请 |
| 2010-4-1 |
| 一种低能量离子束清洁之高解析度扫瞄式电子显微镜试片分析方法，包括下列步骤：准备至少一试片(Sample)；传送该至少一试片至一双离子束系统(Dual Beam System)，进行蚀刻(Milling)操作，该至少一试片进而产生至少一试片剖面，该至少一试片剖面具有复数个主动区域(Active Area，AA)、复数个闸极层(Gate)、及复数个闸极氧化层(Gate Oxide，GOx)，在蚀刻过程当中产生复数个回填物，部份之该些回填物覆盖於该至少一试片剖面之主动区域、及闸极层中间的闸极氧化层；对该至少一试片剖面进行离子束操作，进而去除清洁该些回填物；进行化学药品蚀刻(Oxide Decoration)操作，进而对该至少一试片剖面之表面产生崎岖不平(Surface Topography)；使用高解析度扫瞄式电子显微镜(High Resolution Scanning Electron Microscope，HRSEM)，对该至少一试片剖面进行取像；以及检视分析该至少一试片剖面之主动区域、及闸极层中间的闸极氧化层。 |
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