| 透射电子显微镜样品处理方法 |
| US12258965 2008-10-27 发明申请 |
| 2010-1-14 |
| 一种用于分析用于制造集成电路(例如，动态随机存取存储器件，通常称为DRAM)的样本的方法。 该方法还提供包括厚度、宽度和长度的集成芯片。 在特定实施例中，集成芯片具有穿过厚度的一部分的至少一个细长结构，同时垂直于宽度和长度。 在特定实施例中，细长结构具有结构宽度和延伸通过厚度的垂直部分的结构长度。 该方法包括以垂直于结构长度的方向从厚度的一部分移除集成电路芯片的切片。 在一个具体实施例中，沿结构长度通过一个细长结构的整体提供薄片，以使提供细长结构的薄片的厚度的一部分具有基本均匀的样品厚度。在一个具体实施例中，沿结构长度通过一个细长结构的整体提供薄片，以使提供细长结构的薄片的厚度的一部分具有基本均匀的样品厚度。 该方法还包括使用透射电子通过切片的一部分捕获一个或多个图像 |
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