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光子发射扫描隧道显微镜

US12087103 2006-12-20 发明申请

2009-12-3

本发明涉及一种间接间隙半导体衬底，所述间隙大于硅的间隙，优选大于5eV，涉及其用于通过光子发射扫描隧道显微镜对样品成像的用途，以及涉及使用这种间接间隙半导体衬底的光子发射扫描隧道成像方法。有利地，间接间隙半导体衬底由碳化硅制成。本发明还涉及用于实施本发明的成像方法的装置。