| 利用原子力显微镜薄膜图案的制造方法的光刻 |
| KR1020070096658 2007-9-21 发明授权 |
| 2008-11-13 |
| 目的 : 用于抗蚀剂的相关处理可以除去所述步骤和所述合适的分辨率可以被固定在通过形成一种薄膜图案使用所述原子力显微镜光刻技术。<\/P> 的结构 : 所述薄膜图案的制造方法使用所述原子力显微镜光刻技术被提供。一步骤是用于形成所述基板第一上的薄的膜(10)。步骤被用于形成第二上的薄膜用于该蚀刻掩模第一的薄膜。一步骤是用于形成该氧化物图案第二的一个部分中薄的膜通过使用所述原子力显微镜(13)。一个步骤是用于形成所述用于暴露部分蚀刻掩模第一的薄的膜通过干蚀刻该氧化物图案的。一步骤是用于干法刻蚀所述暴露部分第一的薄的膜通过使用所述刻蚀掩模。<\/P> kipo2009<\/P> |
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