| 非破坏性的晶片级的子表面采用近场AFM超声波显微镜检测 |
| WOUS08063462 2008-5-12 发明申请 |
| 2008-11-20 |
| 一种方法，和对应的装置(100)，成像子的表面特征在多个位置上的一个样品(122)包括耦合一个超声波波成一个样品在第一的横向位置。然后所述的方法测量该样品附近的超声波能量的幅度和相位与一尖端(114)的一种原子力显微镜(110)。接着，所述的方法将超声波波成一个样品在第二的横向位置和所述测量步骤被重复用于第二的横向位置。整体，所存在的系统和方法实现高分辨率的子-一宽范围的表面映射的样品，包括硅晶片。它是值得注意的成像晶片时，背面沾污被最小化。 |
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