| 半导体装置的拓扑利用原子力显微镜测量方法 |
| KR1020070045897 2007-5-11 发明授权 |
| 2008-5-29 |
| 目的 : 一种用于测量一个拓扑的一种半导体装置的方法通过使用一种原子力显微镜是提供以通过测量图案搜索一个自动的一位置识别一个对准键。结构 : 一个对准键的位置和一个测量目标图案的一位置被测量通过使用一个激光束(S301)。一种图案识别文件被产生(S302)。一种原子力显微镜根据位置数据移动到下一个目标晶片的所述图案识别文件(S303)。所述的上表面上照射激光束的一悬臂(S304)。所述激光束的光电二极管测量的角度反射从所述悬臂的所述的上表面(S305)。一种拓扑所述图案对应于所测量的角度的所述光电二极管是一个显示单元上显示(S306)。kipo2008 |
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