| 薄的膜图案化方法使用原子力显微镜光刻系统 |
| KR1020060107903 2006-11-2 发明授权 |
| 2008-4-24 |
| 目的 : 一种用于图案形成一薄的膜的方法使用一种原子力显微镜光刻技术被提供以降低限制在该有机抗蚀剂的厚度通过使用细力样品和探针之间。结构 : 一薄的膜被沉积一基板上。有机抗蚀剂是所述薄膜上淀积。一种掩模材料具有3-10的厚度纳米是沉积在所述有机抗蚀剂。一种原子力显微镜所述掩模材料上进行光刻工艺，从而使所述掩模材料的一部分被除去以露出部分的所述有机抗蚀剂。所述暴露部分所述的有机O2等离子体灰化除去抗蚀剂和图案化的过程。所述掩模材料可以在至少一个或两个种的混合物选自金属，陶瓷和硅氧化物，kipo2008 |
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