| 使用反射式X射线显微镜断层成像对半导体器件进行非破坏性检查的系统和方法 |
| US17808674 2022-6-24 发明申请 |
| 2023-12-28 |
| 用于使用反射式X射线显微镜计算机断层摄影(CT)成像对诸如三维NAND存储器件的半导体器件进行非破坏性检查的系统和方法。 X射线显微镜将X射线辐射的聚焦束以倾斜角度引导到半导体晶片的表面上，使得束穿过器件结构，并且束的至少一部分被晶片的半导体衬底反射并且被X射线检测器检测。 晶片可以围绕旋转轴旋转，以在不同投影角度获得感兴趣区域()的X射线图像。 处理单元，利用所述X射线探测器在所述不同投影角度下获得的探测X射线图像数据，生成所述ROI的CT重建图像。 CT重建图像可以使得能够以非破坏性方式检查半导体器件中的内部结构特征，包括嵌入缺陷。 |
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