| 包括场效应晶体管的原子力显微镜悬臂及其制造方法 |
| US11614489 2006-12-21 发明申请 |
| 2008-1-24 |
| 本发明涉及一种包括场效应晶体管(FET)的AFM悬臂及其制造方法； 更具体地说，本发明涉及一种用于制造包括通过光刻工艺形成的FET的AFM悬臂的方法，其中FET的有效沟道长度是非O级。 因此，本发明可以通过精确地控制有效沟道长度来容易地实现用于制造包括He FET的AFM悬臂的模拟。 此外，本发明可以通过应用低成本的光刻装置来制造包括具有几十到几百纳米的有效沟道的FET的AFM悬臂，从而提高了制造工艺的精确度和成品率，并大大降低了工艺成本。 |
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