| 用于扫描探针显微镜和原子力探针表征的SOI技术的硅，GaAs，GaxAlyAsz的选定位置背面去层的装置和方法 |
| US11160667 2005-7-5 发明申请 |
| 2007-1-11 |
| 一种用于暴露和探测半导体工件中的特征的装置，包括中空的集中器，用于覆盖通过气体导管连接到蚀刻剂气体供应源的工件的一部分。 工作台支撑并定位半导体工件。 控制装置依次将载物台和半导体工件移动到一系列位置。 一能量束源在蚀刻剂气体存在下将聚焦的能量束引导通过穿过聚光器的孔到工件表面上的区域上。 控制装置将工作台相对于聚光器和能量束移动到一系列位置，以在存在蚀刻气体的情况下引导能量束，以暴露位于中空内部下方的半导体工件表面上的一系列区域 所述集线器的空间依次增大。 |
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