| 用于通过使用扫描电子显微镜分析缺陷的方法 |
| KR1020040114485 2004-12-28 发明申请 |
| 2006-7-4 |
| 目的 : 一种方法用于通过使用扫描电子显微镜分析缺陷是提供劣化的分析中以提高正确性和提高可靠性的半导体IC装置，构成 : 一个用于通过使用扫描电子显微镜分析缺陷的方法分析一种半导体装置的劣化和包括所述的步骤 : 照射电荷到一检查一半导体晶片的焊盘; 发送所述电荷填充在所述检查焊到一个上金属层(60a)和下金属层(50b)通过耦合部分(80)，并分析该半导体晶片与一电压比较的方法。所述上部金属层(60a)和所述下金属层(50b)被电连接通过一通过(55b)。kipo2006 |
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