| 扫描电子显微镜用于尺寸测量系统，电路图案的特征和评价系统和方法及其 |
| JP2004315126 2004-10-29 发明申请 |
| 2006-5-18 |
| 要解决的问题 : 以提供一种用于长度测量的SEM系统能够高精度的和精确的OPC(光学接近校正)从现在是重要的评价，其在一更精细的半导体设计图案中具有先进性，和以提供一个用于一电路图案特征和评价系统及其方法。溶液 : 为了评价一种设计之间的差值数据和通过使用一形成抗蚀剂图案在详细观察所述抗蚀剂图案形成的数据通过一半导体光刻过程，所述设计数据和所述观测数据的所述抗蚀剂图案被叠加到计算一个一维或二维几何特性值表示它们之间的差。不过，该设计数据和所述抗蚀剂图案有时不同特征中由于OPE得多(光学接近效果)。因此，为了稳定地和高度准确地叠加所述设计数据和所述观测数据的所述抗蚀剂图形，要形成一个转印图案通过所述使用用于所述曝光光掩模数据和所述曝光条件被通过使用一个曝光模拟器计算，和所述转移图案是所述的观测数据上叠加所述实际的抗蚀剂图案。版权 : (C)2006，膜℃。 |
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