| 高的速度纳米结构的制造与一高纵横比使用原子力显微镜光刻 |
| KR1020040078809 2004-10-4 发明申请 |
| 2006-4-7 |
| 目的 : 一种方法用于形成纳米结构具有一高纵横比在一高的速度被提供到增强程度的集成通过使用AFM(原子力显微镜)光刻。结构 : 一氧化物层上形成一半导体衬底。一种蚀刻过程是通过所述氧化物层上执行一接触式或半-接触式的AFM。所述接触式或半-接触式探头之间能够保持该温度的AFM和所述基板在一预定范围内，所述预定温度范围是30至100。一种AC(交流)偏置电压与有效值1到20V的范围是所述探针和基板之间施加。kipo2006 |
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