| 用于测量半导体晶片上形成一结构E的方法。G。用于制造集成的电路，包括使用光栅的电子显微镜与电子束源和检测器 |
| DE102004004597 2004-1-29 发明申请 |
| 2005-8-25 |
| 本发明涉及一种程序用于所述测量的一种结构在一半导体晶片与一扫描电子显微镜; 其中所述以下步骤实现的 : 一个第一美元成为一半导体晶片(5)与一结构(10)与数个quidistand列(12)由可用beabstandeten，其中所述列(12)被实现在一个距离(16)，其等于所述所列的宽度(14)(12)。随后，一种扫描电子显微镜(20)是由可用，一个源的电子束(22)和一个检测器(24)覆盖。制备衬底的拥有者以卷取后和在所述扫描电子显微镜相对于所述的源电子束(22)对齐(26可用)，其是合适的，所述半导体晶片(5)，该所述基板上的拥有者(26)一个将下。它发生照明所述前所述半导体晶片(5)中的一个与一个电子束测量窗口(28)。从第一方向和之后检测所述的电子strewn所述测量窗口中，为了确定一个第一所述strewn强度轮廓(30)的电子作为第一测量的结果。倾斜所述电子束在第二方向后，其包括一倾斜角度(32)与第一的方向，所述前所述半导体晶片的从第二方向是与所述电子束照射。检测所述strewn电子后，为了确定一第二强度轮廓(34)，所述所列的情况成为从… |
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