| 自对准工艺是一种具有沟道场效应晶体管结构的扫描探针显微镜探针的制造方法 |
| JP2004504301 2003-4-26 发明申请 |
| 2005-8-18 |
| 提供一种方法，用于制造探针的扫描探针显微镜(SPM)具有场效晶体管(FET)通道结构利用自对准工艺制造。所提供的方法包括第一步骤，形成第一形状的掩膜层在衬底上形成源极区和漏极区的区域中的所述衬底的除掩膜层; 第第二步骤，图案化的第一型光致抗蚀剂在垂直方向对所述掩模层和执行蚀刻工艺，以形成第二形状的掩膜层; 以及第三步骤，蚀刻所述衬底的区域除所述掩模层以形成探针。本发明提供的方法对准的尖端的中心与源之间存在的沟道中心区域和漏极区域以实现具有尺寸为数十纳米的尖端。因此，纳米装置可容易地制得具有尖端的探针。 |
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