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利用导电原子力显微镜测量接触泄漏电流的方法

US10734020 2003-12-10 发明申请

2005-6-16

一种用于测量形成在衬底上或衬底中的半导体器件的触点的漏电流的方法，包括 : 扫描与导电原子力显微镜的探针的触点；在衬底和探针的导电尖端之间施加直流电压；以及响应于所施加的DC电压，测量流过所述触点到所述衬底的电流的值。