| 覆盖测量结构的方法，例如，用于确定相对关断设置两个结构的开关半导体晶片上通过光栅图案电子显微镜 |
| DE10345524 2003-9-30 发明申请 |
| 2005-5-4 |
| 该方法包括 : 形成一结构与第一的范围内的结构部件的一个衬底的一个层所述半导体晶片通过光刻投影的装置。所述部件的所述结构被用于电路采样。一种参考结构为形成由光刻投影，其中所述参考结构是这样的一种方式中的训练，它包围第一范围内。-一个第二结构与一第二范围内的结构部件是提供通过光刻投影，其中所述结构部件具有一参考结构部分周围第二范围。一种第一之间的距离被测量的结构部件和所述参考结构由扫描电子显微镜，为了确定第一将误差，第二之间的距离被测量一个第二的结构部件和所述基准结构通过一种扫描电子显微镜。一种第一的未对准结构部件，以第二的结构部件计算从所述的放置误差。-一个独立的权利要求是包含用于一个用于所述确定的重叠测量结构的相对两个结构化电路的一半导体晶片上样品的未对准 |
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