| 形成的原子力显微镜方法的尖端 |
| KR1020047019753 2003-5-20 发明申请 |
| 2005-2-2 |
| 本发明涉及一种用于形成硅原子力显微镜方法的尖端。该方法包括沉积所述的步骤一掩蔽层到第第一层的掺杂硅，以使得某些方形或矩形的区域第一层掺杂的硅被不覆盖由所述掩蔽层，蚀刻第一中的锥状孔层的掺杂硅，去除该掩模层，沉积一第二掺杂层的掺杂硅的硅在第一层，所述第二层掺杂的硅被相对掺杂的硅和蚀刻掉掺杂到第一层第一层的掺杂硅。进一步的步骤可以被添加以形成所述原子力显微镜的尖端在该端悬臂。kipo&wipo2007 |
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