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形成的原子力显微镜方法的尖端
WOSG03000119 2003-5-20 发明申请
2003-12-11
本发明涉及一种用于形成硅原子力显微镜方法的尖端。该方法包括以下步骤 : 沉积一掩蔽层第一上的层掺杂的硅,使得一些正方形或矩形区域的第一层掺杂的硅被通过所述掩模层不覆盖,腐蚀锥状孔第一层中掺杂的硅,去除该掩模层,沉积第二层掺杂的硅在第一层的掺杂硅,第二层掺杂的硅被相对掺杂到第一层掺杂的硅和掺杂硅的蚀刻掉第一层。进一步的步骤可以被添加到形成所述原子力显微镜悬臂的尖端在该端。
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