能够实现扫描电子显微镜成像,同时防止样品对半导体制造工艺中使用的敏感层的损伤
 
KR1020227043962  2021-6-24  发明申请

2023-2-28
 
  在所述半导体晶片的电子束成像期间,所述电子束被调整到低于所述损伤阈值的第一电子剂量/nm2/小时的值,以用于所述半导体晶片上的所述部位的图像帧抓取。 然后将电子束调整到不同于用于部位的第二图像帧抓取的第一电子剂量/nm2/时间值的第二电子剂量/nm2/时间值。 第二电子剂量/nm2/小时值可以高于损坏阈值。
 
仿站