| 基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法 |
| CN202211035062.7 2022-8-26 发明申请 |
| 2022-11-8 |
| 本发明公开了一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法，属于微电子技术领域，CD上限观察图形和CD下限观察图形均包括若干个长方形结构，且若干个长方形结构构成品字形，结构简单，光刻版设计及工艺实现容易，该结构只需要设计若干个同尺寸的长方形即可实现，同时大尺寸的长方形在工艺实现中也避免了小尺寸图形易出现的漂胶等异常；同时显微镜检验便捷，可以通过检验品字型结构上下两个长方形的侧边是否在一条直线上，来判别该层线宽是否超过范围，其图形和结构设计科学合理，辨识度高，可满足光刻工艺线宽≥2μm的层次在线检验的要求，为高质量完成光刻工艺打下基础。 |
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