| 基于非接触原子力显微镜的微区载流子浓度测量方法 |
| CN202111504580.4 2021-12-10 发明申请 |
| 2022-8-26 |
| 本发明公开了基于非接触原子力显微镜的微区载流子浓度测量方法。该方法为：采用两步扫描法获得待测半导体样品、若干标准半导体样品的不同位置处的介电力调制差，两步扫描法为：利用原子力显微镜的探针一次扫描半导体样品，获得表面形貌和表面电势；将探针相对于表面形貌抬起后进行二次扫描，施加直流电压和调制电压，抵消表面电势，获得介电力调制差；采用数值模拟的方法获得待测半导体样品的介电力调制差与载流子浓度的定量对应关系，根据各标准半导体样品的介电力调制差和载流子浓度对定量对应关系进行校准，获得模拟关系曲线，最后得到待测半导体样品的载流子浓度。该方法能避免探针剐蹭导致测量误差，获得的有空间分辨率的微区载流子浓度。 |
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