| 一种用于透射电镜表征的热、电场耦合型密封腔芯片及其制作方法 |
| CN202210378551.6 2022-4-12 发明申请 |
| 2022-7-15 |
| 本发明公开一种用于透射电镜表征的热、电场耦合型密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括第一硅衬底、在第一硅衬底上表面和下表面的介质层、沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极、电场电极以及隔离层；制作基板芯片上的第一观察窗口；顶板芯片包括第二硅衬底，第二硅衬底上表面和下表面的介质层，制作顶板芯片上的第二观察窗口。将样品置于基板芯片的观察窗口区，基板芯片与顶板芯片粘合，放入匹配的透射电镜样品杆中即可使用。本发明不仅能够实现在密封腔中对样品进行加热，还能同步在局部施加额外电场，有助于在透射电镜原位表征过程中实时观察材料在电场诱导下的动态生长过程。 |
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