| 场发射背板 |
| US10773696 2004-2-6 发明申请 |
| 2004-10-7 |
| 一种通过激光结晶非晶半导体基材料区域而形成的场发射背板。 发射极位置是由结晶过程引起的粗糙表面织构产生的。 可以使用激光干涉法来局部化结晶，并且在局部化的结晶区域上生长异型发射器尖端。 这样的背板可用于发射到真空或宽带隙发光聚合物中的场发射器件中。 此外，具有自对准栅极的背板可以通过在发射极尖端上沉积绝缘体层和金属层，去除金属层的顶部并蚀刻掉绝缘体，留下每个尖端被金属边缘包围而形成。 平面化剂可用于精制该方法。 |
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