| CMOS成像器的多层栅极 |
| US10341368 2003-1-14 发明申请 |
| 2003-7-24 |
| 一种用于CMOS或CCD成像器中的多层栅极，所述CMOS或CCD成像器形成有第二栅极，所述第二栅极至少部分地与所述第二栅极重叠。 所述多层栅极是具有绝缘层，导电层，任选的硅化物层和第二绝缘层的完整栅极堆叠，并且具有与其相邻形成的第二栅极，所述第二栅极具有至少部分地在所述多层栅极的表面上延伸的第二导电层。 多层栅极具有改进的绝缘性，从而导致两个栅极的导电层之间的短路较少。 还公开了形成多层栅极和重叠栅极的方法。 |
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