| CMOS成像器的多层栅极 |
| US10654932 2003-9-5 发明申请 |
| 2004-3-18 |
| 一种用于CMOS或CCD成像器中的多层栅极，所述CMOS或CCD成像器形成有第二栅极，所述第二栅极至少部分地与所述第二栅极重叠。 多层栅极是具有绝缘层的完整栅极叠层， 导电层，任选的硅化物层和第二绝缘层，并具有与其相邻形成的第二栅极，该第二栅极具有至少部分地在多层栅极的表面上延伸的第二导电层。 多层栅极具有改进的绝缘性，从而导致两个栅极的导电层之间的短路较少。 还公开了形成多层栅极和重叠栅极的方法。 |
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