| ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底 |
| TW105115339 2016-5-18 发明申请 |
| 2017-2-1 |
| 本发明之课题是提供一种EUV微影术用反射型光罩基底，其平坦度优异且于图案转印时可较容易修正起因于平坦度之叠对(overlay，重叠)准确度恶化，让起因于平坦度之叠对(重叠)准确度恶化少。 解决手段上，本发明之EUV微影术用反射型光罩基底，系于基板之主面上依序形成有反射EUV光之反射层与吸收EUV光之吸收层，且于前述基板之与前述主面相对向之背面上形成有导电膜者；其特征在于：以雷射干涉计测定前述EUVL用反射型光罩基底之前述主面及前述背面的品质保证区域形状，并将所得测定值拟合2次函数时，2次函数成分所占之比率在35%以上，且前述主面及背面之品质保证区域之平坦度在600nm以下。 |
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