| 雪崩光电检测器元件与电场强度增大 |
| EP12193767 2012-11-22 发明申请 |
| 2014-5-28 |
| 雪崩光电检测器元件，用于转换光信号到一个电气信号，包括一个输入波导(2)和本征半导体材料(3)，至少一个P-掺杂区(4)和至少一个n-掺杂区(5)是设置在所述半导体材料(3)，该掺杂区(4，5)和所述本征半导体材料(3)形成在至少一个pin结的雪崩光电二极管(6)，该输入波导(2)和所述本征半导体材料(3)被设置相对于每个其它使得该输入波导的光进行波(2)基本上是传导到所述本征半导体材料(3)到所述pin结的雪崩光电二极管(6)所述光学信号转换到一电气信号，所述半导体材料(3)包括至少一个阵列的p-掺杂区域(4)或N-掺杂区域(5)。在所述掺杂区所不同的掺杂区是小的阵列，从而所述电场强度将增加在该接近所述掺杂的区域不具有以增加所述反向偏置电位。 |
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