| 影像仪 |
| TW092101350 2003-1-22 发明申请 |
| 2003-12-16 |
| 在CMOS影像仪中，各单元(1)包括光电二极体(6)，其在各整合期间之前经由重设电晶体(T1)而充电。在整合时期期间藉由对此重设电晶体之闸极(7)施加适当之闸极电压，将此重设电晶体切断，为了降低固定形式之杂讯(FPN)，将此区隔电压选择为低於供应电压VDD。令人惊讶地发现藉由比较低的阻隔电压，可将漏电电流大幅减少，这可能是由於流经此闸极氧化物较低之隧道电流，此氧化物在现代CMOS制程中是非常的薄。在特殊实施例中，可以施加该较低之阻隔电压而不会受到此影像仪动态范围之任何限制。 |
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