| 光电检测器与光入射表面和接触表面和其应用 |
| WOUS11046146 2011-8-1 发明申请 |
| 2012-3-22 |
| 所公开的本发明涉及结构基于在光电二极管和光电检测器的制造方法用于各种应用中使用3D集成方法。所述光电检测器的所述结构包括至少两个层(202，203)键合到每个其它，其中第一层(202)是一种半导体材料制成的具有一第一导电型和第一浓度。一个第二层(203)被制成一种半导体材料中的任一种直接的接触与第一层(202)或通过一接合层键合到第一层(216)的一薄介电材料制成。至少一个区域(206)的第二导电型，至少一个P\/N结和至少一个区域(207)的第一与一第二导电类型的浓度较重的比第一内形成浓度为第一层(202)。一个通过硅通过(211，214)被形成在第二层(203)。所述至少一个区域(206)的第二导电类型的检测光散射的光子从沿一参考路径穿过一参考区域(220，221)，其限定了一个参考点第一的内层(202)的所述结构用于对准所述入射光，并包括所述光电检测器用于一个粒子的浆料应用的一个部分。 |
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