在防止半导体制造工艺中使用的敏感层上的样品损伤的同时,能够进行扫描电子显微镜成像
 
US17182925  2021-2-23  发明申请

2021-12-30
 
  在半导体晶片的电子束成像期间,电子束被调节到第一电子剂量/nm2/时间值,该第一电子剂量/nm2/时间值低于半导体晶片上的位置的图像帧捕获的损伤阈值。 然后将电子束调整到不同于该位置的第二图像帧抓取的第一电子剂量/Nm2/时间值的第二电子剂量/Nm2/时间值。 第二电子剂量/nm2/时间值可以高于损伤阈值。
 
仿站