| 单片多晶硅CMOS成像器 |
| US13212649 2011-8-18 发明申请 |
| 2012-1-5 |
| 在CMOS或CCD成像器中，通过减小每个像素单元中栅极之间的间隙中的间隔，和/或通过在每个像素单元中的相邻栅极之间，特别是至少在电荷收集栅极和电荷收集栅极下游的栅极之间提供轻掺杂区域，来实现更完全的电荷转移。在CMOS或CCD成像器中，通过减小每个像素单元中的栅极之间的间隙中的间隔，和/或通过在每个像素单元中的相邻栅极之间提供轻掺杂区域，尤其是在电荷收集栅极和电荷收集栅极下游的栅极之间提供轻掺杂区域。 为了减小栅极之间的间隙，在导电层上为每个栅极形成在其侧壁上具有间隔物的绝缘体盖。 然后使用绝缘体盖和间隔物作为硬掩模从导电层蚀刻栅极，使得栅极形成得比先前可能的更靠近，这反过来增加电荷转移效率。 通过在相邻栅极之间提供轻掺杂区，从电荷收集栅极实现更完全的电荷转移。 |
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