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4
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具有增强的灵敏度的导电原子力显微镜系统和使用这种系统的方法
US17005883 2020-8-28 发明授权
2021-11-16
本文公开的说明性方法包括通过同时照射掺杂半导体材料的上表面的至少一部分来测量掺杂半导体材料的至少一个电相关参数, 促使悬臂梁探针的导电尖端与掺杂半导体材料的被照射部分的上表面导电接触, 以及产生流经所述掺杂半导体材料的电流,流经可操作地耦合到所述悬臂梁探针的测量装置并流经所述悬臂梁探针,其中所述测量装置测量所述掺杂半导体材料的所述至少一个电相关参数。
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