| 应用于原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法 |
| CN202010137511.3 2020-3-3 发明申请 |
| 2021-9-7 |
| 公开了一种应用于芯片式原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法。本申请实施例中，应用于芯片式原位透射电镜的降低芯片漏电流的方法包括：将样品与原位芯片放入聚焦离子束仪器中；清扫所述样品的接触面表面沉积的Pt污染之后，将所述样品和所述原位芯片焊接；使用离子束清扫样品的除焊接部分以外的暴露的表面区域，制备负载有样品的原位芯片；清除所述负载有样品的原位芯片上的Pt污染。本申请实施例利用简单有效的方法降低了原位芯片的漏电流，为更实用、广泛的芯片式原位透射电镜的应用提供了可能。 |
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